项目名称：面向芯片先进制程的激光退火技术与制造设备研制（二氧化碳激光退火设备）
完成单位：成都莱普科技股份有限公司
技术水平：国际先进水平
综合得分：91.31分
评审专家：蔡一茂（北京大学）、陈万军（电子科技大学）、王颀（中国科学院微电子研究所）、
汪华章（西南民族大学）、孙传新（中国电子科技集团公司第29研究所）、
杨柳（成都大学）、程丽君（中国电子科技集团公司第30研究所）
在此成果中，成果完成单位开展了应用于芯片先进制程的激光退火技术与制造设备研发。通过对极化调控技术、高可靠性高效反射光学整形技术、原位测温技术、温度闭环反馈控制激光功率技术、高精度Hot Chuck及晶圆温度控制技术、高可靠性高稳定性晶圆位移控制技术、软件系统技术、超浅结离子激活工艺技术等进行攻关，成功研制出二氧化碳激光退火设备，实现了装备的整体智能化集成，系统解决了二氧化碳激光退火工艺与装备所面临的关键瓶颈，打破了国外对二氧化碳激光退火设备及售后服务的禁运，解决了面向芯片先进激光退火工艺及装备的“卡脖子”问题，填补了国内空白。
该成果主要创新如下：
1、该成果攻克了二氧化碳激光退火系统温度控制技术、非垂直入射挡光技术等关键工艺问题和装备核心模块，实现了装备的整体智能化集成，研发出应用于28nm及以下节点芯片先进制程的激光退火技术与制造设备；
2、该成果解决了高功率二氧化碳激光传统整形方式存在的顶部能量分布均匀性不佳的缺点，获得了满足工艺要求的线性平顶光束，线性平顶光束长方向能量分布均匀、短方向尺寸小且尺寸可调，工艺窗口更宽，能够满足半导体激光退火工艺需求；
3、该成果所研制的激光退火设备在激光功率控制、精度控制、均匀性、稳定性及产能等方面具有技术先进性，其主要指标与国外产品相当。同时该成果自主可控强，在性价比、交货期、售后及迭代升级等方面具有明显优势；
4、该成果已授权发明专利4项，进入实质审查发明专利1项，实用新型专利1项，计算机软件著作权2项。设备已进入长江存储、合肥长鑫、武汉新芯等国产存储芯片厂家的生产线并顺利通过验证、用于量产，实现销售收入约1.1亿元，实现了进口产品替代，提升了我国集成电路装备领域的自主可控力和我国国产高端芯片制造行业创新能力。
综上所述，评审委员会认为该项目在激光退火设备领域的同类技术中达到国际先进水平。
评价服务体系：
本次评价采用由成都博智睿通科技有限公司、四川省科技成果评价服务联盟、四川省科技厅等团队研究的评价体系，该体系含理论方法、分类评价指标、大数据分析架构、服务规范等内容。
