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高精密位移传感器研究与应用

项目名称:高精密位移传感器研究与应用

完成单位:四川永星电子有限公司

技术水平:国内领先水平

综合得分:89.72分

评审专家:汪华章(西南民族大学)、刘亚俊(华南理工大学)、孙创新(中国电科29所)、杨柳(成都大学)、黄纪刚(四川大学)、程丽君(中国电科30所)、宰文姣(四川师范大学)

成果完成单位为实现国产化替代,防止关键技术被卡脖子问题开展了高精密位移传感器研究与应用,成功研发了接触式位移传感器与非接触传感器。

1、该成果从宽温范围工作、增强抗震动与冲击性能,噪声和稳定性,辐照耐受性四个方面开展研究,成功研发WD型直线位移传感器。增加了辐照防护耐受性(辐照剂量1.27x106rad(si)),极大的提升了传感器抗高冲击、长寿命,宽温域(可在-145℃~+200℃长期工作)的性能和可靠性。

2、该成果解决了磁敏传感器敏感薄膜单元与基体的有机结合的技术难题,实现了两轴方向上地磁场的测量,并将微弱的地磁场转换为可观测的电信号供地磁导航系统使用。所研发的磁敏传感器作为测量地磁场的敏感元件,完美替代了国外高端磁敏传感器,打破了国外高端传感器的垄断地位,填补了国内技术产品空白。

3、该成果的研发填补国内高端精密传感器空白,打破国外垄断,实现了国产替代化目标,促进了我国航空航天、军事装备等重器产业水平提升,并为其他相关应用领域的传感器提供参考依据,意义重大。

4、该成果已授权专利22项,形成团体标准1项,成果已广泛应用于中国空空导弹院、中国科学院上海技术物理研究所等多家单位,具有良好的社会与经济效益。

综上所述,评审委员会认为该项目在位移传感器领域的同类技术中达到国内领先水平。

 

评价服务体系:

本次评价采用由成都博智睿通科技有限公司、四川省科技成果评价服务联盟、四川省科技厅等团队研究的评价体系,该体系含理论方法、分类评价指标、大数据分析架构、服务规范等内容。

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