项目名称：激光诱导外延生长技术及装备研发与应用
完成单位：成都莱普科技股份有限公司
技术水平：国际先进水平
综合得分：90.24分
评审专家：陈善华(成都理工大学)、冯国英(四川大学)、汪华章(西南民族大学)、陈宝书（西华大学）、伍荣翔（电子科技大学）、程丽君(中国电科第三十研究所)、杨柳（成都大学）
成果完成单位开展了采用激光诱导方式实现晶圆外延生长的研究，在研究过程中突破532nm大单脉冲能量固体激光器光束合束及整形技术、能量密度调控技术、光斑边缘锐利及顶部平滑技术、脉宽控制技术、焦点控制技术等关键技术，研发激光诱导外延生长设备，实现我国半导体关键设备自主可控，推动了我国DRAM产业乃至集成电路产业的发展。
1、该成果通过控制四台激光器精准照射DRAM器件SNC及BLC结构纳米尺度微孔中的非晶硅，达到使其全部融化并触发液相外延成为单晶硅或大晶粒多晶硅的目的；
2、该成果为解决制约我国动态随机储存器（DRAM）、3D NAND储存器领域SNC&BLC接触不良的技术及装备问题，成功集成开发出激光诱导外延生长设备LA2250L，其突出优势是光学系统、监测检测系统等核心模块均立足国内自主研发，核心模块实现100%自主产权，装备突破了国外信息、技术及产品封锁，打破了国外垄断，填补了国内本领域空白，有利促进了我国DRAM产业技术水平提升；
3.该成果实现了12寸DRAM存储晶圆激光诱导外延生长设备的样机研制和应用，根据查新报告属国内外首创，为我国高端激光装备、集成电路装备领域提供了技术支撑；
4.该成果产品已交付长鑫新桥储存技术有限公司。鉴于LIEG是DRAM产业的核心设备，以及DRAM在全球集成电路芯片市场的巨大产能需求，可以预期，该成果将继续产生良好的经济效益。
综上所述，评审委员会认为该成果属于国内首创，在集成电路激光设备产品领域的同类技术中达到国际先进水平。
评价服务体系：
本次评价采用由成都博智睿通科技有限公司、四川省科技成果评价服务联盟、四川省科技厅等团队研究的评价体系，该体系含理论方法、分类评价指标、大数据分析架构、服务规范等内容。
