项目名称：非晶硅孔洞激光消除装备及工艺
完成单位：成都莱普科技股份有限公司
技术水平：国际先进水平
综合得分：92.33分
评审专家：王军喜(中国科学院半导体研究所)、刘洋（电子科技大学）、朱宏娜（西南交通大学）、刘亚俊（华南理工大学）、曹太强（西华大学）、张弘（四川大学）、杨建波（西南石油大学）
在此成果中，成果完成单位开发出具有自主知识产权的非晶硅孔洞激光消除装备，良好的解决了SNC&BLC接触问题,打破了国外在先进DRAM领域对我国的装备封锁，填补国内空白，推动了我国DRAM产业乃至集成电路产业的发展。
主要创新点如下：
1、该成果基于自主研发的532nm大能量纳秒激光脉冲合束与整形技术、复杂多变量协同监测检测技术等多项技术，成功研制出适用于12英寸DRAM用非晶硅孔洞消除整机；
2、该成果突破了非晶硅孔洞消除设备整机集成技术，研发出边缘陡直、顶部光滑、尺寸及形状可控的二维平顶光斑，且对应开发了自主可控的复杂多变量协同监测检测技术，填补了国内空白；
3、该成果设备改善了存储器内部接触、减小了器件开态电阻、降低了器件功耗，在激光脉冲能量测试、光斑尺寸测试、激光脉宽测试、脉冲间隔时间范围试验、激光脉冲能量稳定试验、激光能量密度测试等方面的精度和效果大幅提升，达到实用要求，良品率大幅提升，打破了国外先进DRAM领域对我国的设备封锁；
4、该成果设备核心模块实现完全自主可控，装备突破了国外技术与产品封锁，已通过客户量产验证并将产品销售至长鑫存储，大幅降低了高性能器件制作成本，增强了我国在该领域的竞争力，具备良好的经济和社会效益。
综上所述，评审委员会认为该项目在非晶硅孔洞激光消除设备领域的同类技术中达到国际先进水平。
评价服务体系：
本次评价采用由成都博智睿通科技有限公司、四川省科技成果评价服务联盟、四川省科技厅等团队研究的评价体系，该体系含理论方法、分类评价指标、大数据分析架构、服务规范等内容。
